NOR Flash和NAND Flash是两种常见的闪存存储器技术，它们在内部结构、操作方式和应用方面存在一些重要区别。以下是它们之间的部分区别：

1、内部结构：

NOR Flash：NOR Flash使用NOR门结构，其中每个存储单元都有一个地址，可以直接访问。它的内部结构更接近传统的存储器结构，具有并行访问特性。

NAND Flash：NAND Flash使用NAND门结构，其中存储单元通过行和列进行寻址。它的内部结构更接近于逻辑门结构，具有串行访问特性。

2、存储密度：

NOR Flash：由于其较为复杂的内部结构和并行访问方式，NOR Flash的存储密度相对较低，不能存储大量数据。

NAND Flash：NAND Flash采用串行访问方式，内部结构相对简单，可以实现较高的存储密度，适用于大容量数据存储。

3、读取速度和延迟：

NOR Flash：NOR Flash具有较快的读取速度和较低的读取延迟。由于其并行访问特性，可以在任意地址上直接读取数据，适合快速执行代码和读取关键数据。

NAND Flash：NAND Flash的读取速度较慢，并且具有较高的读取延迟。由于其串行访问特性，必须按照页面（Page）或块（Block）的单位进行读取操作。