EEPROM和Flash都是非易失性存储器，就是你设备掉电重启后，数据还会保留，如果是RAM的话掉电数据直接就丢了。

    下面从几个方面去介绍下EEPROM和Flash的区别：

    1.读取方式

EEPROM和Flash都采用随机读取，可以通过地址直接访问存储器中的数据。
     2.写入方式
     EEPROM和Flash的写入方式不一样，EEPROM可以按字节进行写入，而Flash通常需要按块进行写入。还有就是，在Flash中，要写入一个数据，需要先擦除一整个块，然后再将新数据写入该块。
     3.擦除方式
     EEPROM和Flash的擦除方式不一样，EEPROM可以按字节进行擦除，而Flash一般需要按块进行擦除。也就是说，在Flash中，要擦除一个数据，通常需要先擦除一整个块，然后再将该块中需要保留的数据重新写入，比EEPROM操作麻烦一些。
    4.擦写速度
    EEPROM的擦写速度比Flash慢得多，擦写速度会受到许多因素的影响，包括使用的存储器型号、使用的接口类型、写入和擦除的数据量、芯片温度等等。
    5.存储密度
    EEPROM和Flash的存储密度更高，可以存储更多的数据。
    6.寿命
    EEPROM和Flash的寿命长短取决使用方式、应用场景等等。
    一般来说，EEPROM的寿命可能会更长一些，因为它可以进行单独的字节单位的写入和擦除，而Flash需要进行整个页面或扇区的擦除。这意味着EEPROM可以更灵活地管理存储器，并减少对存储单元的擦写次数。
    但是，这并不意味着所有情况下EEPROM的寿命都会更长。
    7.价格
    Flash比EEPROM更便宜。
    8.通讯接口不同
    Flash很多是用SPI协议接口、EEPROM很多是IIC协议接口。